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Un pensiero ad alta voce dopo l’infatuazione che credo abbia colpito ognuno di noi, l’introduzione dei moduli di potenza LDMOS, con taglie e costi adatti a realizzare PA SS che raggiungono e superano il “legal limit” USA.
Come esimersi da questa attrazione fatale, leggeri, broadband 6-160m, tuneless, pilotabili da RTX QRP, opzione Tuner, selezione di più antenne/RTX, nessuna AT letale in giro, inesauribili, etc.
Argomentazioni che lascerebbero ben poco spazio ai valvolari, vecchi e nuovi, se non fosse che l’ostentata robustezza di alcune aree, non si applica nella totalità delle situazioni, al punto che a volte può capitare di non capire nemmeno il perché l’LDMOS ci abbandoni.
Gate fragile, la composizione di questi moduli consiste in una moltitudine di mini gates, al punto che se uno solo di questi si rompe, l’intero modulo è compromesso, come pure eccesso di pilotaggio o un transiente della tensione di bias sono altre due cause comuni per rompere il modulo.
Raffreddamento della superficie del transistor e l’ammontare della temperatura sottintendono un forte innalzamento della temperatura del contenitore. Quando in CW (o altra modulazione non continua) questo ciclo variabile induce un forte stress sul materiale.
In merito all’SWR, nonostante il drain possa sostenere per brevi periodi un disadattamento esagerato (65:1), essere presente un veloce circuito di protezione, il feedbacki può indurre una tensione eccessiva sul gate potenzialmente distruttiva.
Come pure poco utile ridurre la potenza d’uscita per salvaguardare il FET, la giusta modalità sarebbe di ridurre la tensione di drain, in quanto il trasformatore a larga banda è ottimizzato per un dato carico, pertanto riducendo la potenza mantenendo la stessa tensione di drain, la dissipazione non si ridurrà di quanto aspettato, non a caso, laddove presente la possibilità di scegliere il livello di potenza, questo lo si ottiene riducendo per livelli la tensione di drain.
Per esempio, dato il target della “legal limit” USA, l’implementazione più tutelante, sarebbe di impiegare un modulo con tensione a 65V (tipo MRFX1K8H) a 57V, anziché il fratello minore a 50V per lo stesso output, riducendo ulteriormente per eventuali livelli di potenza più bassi.
Come anticipato, solo alcuni pensieri dettati da una breve convivenza, in buona parte platonica, ma non solo
73, Claudio
Come esimersi da questa attrazione fatale, leggeri, broadband 6-160m, tuneless, pilotabili da RTX QRP, opzione Tuner, selezione di più antenne/RTX, nessuna AT letale in giro, inesauribili, etc.
Argomentazioni che lascerebbero ben poco spazio ai valvolari, vecchi e nuovi, se non fosse che l’ostentata robustezza di alcune aree, non si applica nella totalità delle situazioni, al punto che a volte può capitare di non capire nemmeno il perché l’LDMOS ci abbandoni.
Gate fragile, la composizione di questi moduli consiste in una moltitudine di mini gates, al punto che se uno solo di questi si rompe, l’intero modulo è compromesso, come pure eccesso di pilotaggio o un transiente della tensione di bias sono altre due cause comuni per rompere il modulo.
Raffreddamento della superficie del transistor e l’ammontare della temperatura sottintendono un forte innalzamento della temperatura del contenitore. Quando in CW (o altra modulazione non continua) questo ciclo variabile induce un forte stress sul materiale.
In merito all’SWR, nonostante il drain possa sostenere per brevi periodi un disadattamento esagerato (65:1), essere presente un veloce circuito di protezione, il feedbacki può indurre una tensione eccessiva sul gate potenzialmente distruttiva.
Come pure poco utile ridurre la potenza d’uscita per salvaguardare il FET, la giusta modalità sarebbe di ridurre la tensione di drain, in quanto il trasformatore a larga banda è ottimizzato per un dato carico, pertanto riducendo la potenza mantenendo la stessa tensione di drain, la dissipazione non si ridurrà di quanto aspettato, non a caso, laddove presente la possibilità di scegliere il livello di potenza, questo lo si ottiene riducendo per livelli la tensione di drain.
Per esempio, dato il target della “legal limit” USA, l’implementazione più tutelante, sarebbe di impiegare un modulo con tensione a 65V (tipo MRFX1K8H) a 57V, anziché il fratello minore a 50V per lo stesso output, riducendo ulteriormente per eventuali livelli di potenza più bassi.
Come anticipato, solo alcuni pensieri dettati da una breve convivenza, in buona parte platonica, ma non solo
73, Claudio